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Product Center 半導體KC-3100

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功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

型      號

KC3120

功能簡介

設備簡介KC3120功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)測試,如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、...


功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)


設備簡介

KC3120功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)測試,如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化率、反向恢復電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、短路。

通過更換不同的測試單元以達到對應測試內(nèi)容,通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項目及配置測試參數(shù)、 讀取保存測試結果。


參考標準

IEC 60747-8/9 半導體分立器件第8/9部分/JEDEC標準


設備特點

KC-3120系 統(tǒng) 包 含 : 硬 件 平 臺 + 實 時 軟 件 , 其 中 硬 件 平 臺 包含 : 信號源(模塊)、FTP低壓電源、FTP高壓電源、示波器、測量采集控制模塊、測試夾具(可加熱)等,主要特點如下:

高靈活度:多種驅動板配置,覆蓋高壓/中壓/低壓器件測試和雪崩測試(可選);

高精度測試:高共模仰制比的高壓差分光隔離探頭(可選)滿足SiC/GaN半導體器件更高母線電壓和更快開關時間的測量挑戰(zhàn)要求;低回路電感設計(<5OnH寄生電感);

高效率:可進行開關參數(shù)/動態(tài)柵極電荷/動態(tài)導通電阻/短路/雪崩測試,單次測試即可完成開關特性和反向恢復特性測試;

具備數(shù)據(jù)管理功能,上位機可實現(xiàn)數(shù)據(jù)曲線、報告及自動保存;

保護功能:具備器件防呆,對于帶電、高溫開箱、測試參數(shù)異常、驅動電路異常可實現(xiàn)保護功能,

內(nèi)部模塊化設計,支持支持擴展外接標準儀表,客制化;


軟件系統(tǒng)

功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)


技術參數(shù)

功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)


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您好!上述產(chǎn)品資料僅列舉部分主要測試功能,設備全部支持的項目不在此處詳細列舉,

如需要獲取定制方案或公司介紹資料,請您聯(lián)系手機&微信:180-3306-9200

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