設備簡介
KC3120功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)測試，如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化率、反向恢復電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、短路。
通過更換不同的測試單元以達到對應測試內(nèi)容，通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項目及配置測試參數(shù)、 讀取保存測試結果。
參考標準
IEC 60747-8/9 半導體分立器件第8/9部分/JEDEC標準
設備特點
KC-3120系 統(tǒng) 包 含 ： 硬 件 平 臺 + 實 時 軟 件 ， 其 中 硬 件 平 臺 包含 ： 信號源（模塊）、FTP低壓電源、FTP高壓電源、示波器、測量采集控制模塊、測試夾具（可加熱）等，主要特點如下:
高靈活度：多種驅動板配置，覆蓋高壓／中壓／低壓器件測試和雪崩測試（可選）；
高精度測試：高共模仰制比的高壓差分光隔離探頭（可選）滿足SiC/GaN半導體器件更高母線電壓和更快開關時間的測量挑戰(zhàn)要求；低回路電感設計（＜5OnH寄生電感）；
高效率：可進行開關參數(shù)／動態(tài)柵極電荷／動態(tài)導通電阻／短路／雪崩測試，單次測試即可完成開關特性和反向恢復特性測試；
具備數(shù)據(jù)管理功能，上位機可實現(xiàn)數(shù)據(jù)曲線、報告及自動保存；
保護功能：具備器件防呆，對于帶電、高溫開箱、測試參數(shù)異常、驅動電路異常可實現(xiàn)保護功能，
內(nèi)部模塊化設計，支持支持擴展外接標準儀表，客制化；
軟件系統(tǒng)
技術參數(shù)
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您好！上述產(chǎn)品資料僅列舉部分主要測試功能，設備全部支持的項目不在此處詳細列舉，
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